سامسونج تبدأ إنتاج الرقائق الثلاثية للتخزين بتكنولوجيا NAND
أكدت شركة سامسونج للإلكترونيات، أنها بدأت إنتاج رقائق ذاكرة بتكنولوجيا NAND قادرة على التخزين الرأسي لـ 3 بايت من البيانات في كل خلية، للمرة الأولى في العالم.
وتقدم رقائق سامسونج، أكبر مصنع لرقائق الذاكرة في العالم، كفاءة تخزين بيانات أحسن من سابقاتها. ولم يسبق تطبيق تكنولوجيا التخزين الرأسي الثلاثي حتى وقت قريب سوى على منتجات NAND فلاش.
وتمتلك هذه التكنولوجيا المطورة حديثا 32 طبقة من الخلايا المغلفة بدرجة دمج أعلى 30 %على الأقل من تلك المطبقة في رقائق V-NAND ذات الـ 24 طبقة.
وتستخدم رقائق ذاكرة فلاش NAND جنبا إلى جنب مع رقائق ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية (DRAM)، في الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر اللوحية وغيرها من الأجهزة النقالة لحفظ البيانات عندما يتم إيقاف تشغيل هذه الأجهزة.
